Superjunction-MOSFETs von Nexperia | Elektor Magazine
Automotive MOSFETs – Auf die Verpackung kommt es an
CoolSiC 62 mm-Modul eröffnet neue Anwendungen für Siliziumkarbid | Elektronik News
Neues Gehäuse für OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs ermöglicht Source-Down-Technologie von 25 V bis 100 V für 3,3 x 3,3 mm2-PQFN-Gehäuse - Infineon Technologies