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Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs
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Schaltregler Bauteilkunde, N-Kanal-MOSFET
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Der MOSFET als Schalter • Wolles Elektronikkiste
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor – Wikipedia
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MOSFET-Relais und elektromechanische Relais im Vergleich
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Lowpower-MOSFET, Batterie-Abschaltverzögerung (BS170, BC560 BC517,  Darlington, Highsite-Power-MOSFET)
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Abbildung 2.15: Vergleich von NMOS und CMOS-Logik. a) NMOS-NOT-Gatter... |  Download Scientific Diagram
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Unterschied TRANSISTOR und MOSFET einfach erklärt | Leistungselektronik -  YouTube
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Siliziumkarbid als Alternative zu Silizium und Galliumnitrid
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Mit nichtlinearen Kapazitäten umgehen: Schaltungs-Design mit Planar- und  Superjunction-MOSFETs - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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HV-Si-MOSFETs im Vergleich zur SiC- und GaN-Technologie
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Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction
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Entwurfstechnik Halbleiterschaltungen - Transistor BJT JFET - MOSFET  selbstleitend selbstsperrend - Eingangs Kennlinie - Abschnür Ohmscher  Bereich - Unterrichtsmaterial - Schule - MINT
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SiC-MOSFETs und Si-IGBT-Technologie im Vergleich: Welches Material ist am  besten für Traktionsumrichter geeignet? | e+i Elektrotechnik und  Informationstechnik
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MOSFETs und Mikrocontroller
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PC: P-Kanal MOSFETs schalten - HomoFaciens
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HV-Si-MOSFETs im Vergleich zur SiC- und GaN-Technologie
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Geringe Belastung durch Spannungsspitzen: Neue 100-V-Leistungs-MOSFET-Technologie  - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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SiC-MOSFETs und Si-IGBT-Technologie im Vergleich: Welches Material ist am  besten für Traktionsumrichter geeignet? | e+i Elektrotechnik und  Informationstechnik
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